[发明专利]带有绝缘埋层的图像传感器的制作方法有效
| 申请号： | 201110229920.7 | 申请日： | 2011-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN102332461A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 尚岩峰;张俊超;汪辉;陈杰;汪宁;苗田乐 | 申请（专利权）人： | 上海中科高等研究院 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器的制作方法，包括如下步骤：提供支撑衬底；在支撑衬底的驱动电路区域和光学传感区域交界处形成隔离沟槽；在沟槽中填充绝缘介质，以形成绝缘侧墙；在支撑衬底的驱动电路区域中形成绝缘埋层，绝缘埋层的深度不大于隔离沟槽的深度，并同时在绝缘埋层表面隔离形成顶层半导体层；采用离子注入的方式在支撑衬底中形成从侧面和底部环绕光学传感区域的隔离层，所述隔离层的材料是P型半导体材料；在由隔离层围拢的支撑衬底内形成光学传感器件；在驱动电路区域的顶层半导体层中形成晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 绝缘 图像传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种带有绝缘埋层的图像传感器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供支撑衬底；在支撑衬底的驱动电路区域和光学传感区域交界处形成隔离沟槽；在沟槽中填充绝缘介质，以形成绝缘侧墙；在支撑衬底的驱动电路区域中形成绝缘埋层，绝缘埋层的深度不大于隔离沟槽的深度，并同时在绝缘埋层表面隔离形成顶层半导体层；采用离子注入的方式在支撑衬底中形成从侧面和底部环绕光学传感区域的隔离层，所述隔离层的材料是P型半导体材料；在由隔离层围拢的支撑衬底内形成光学传感器件；在驱动电路区域的顶层半导体层中形成晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
