[发明专利]阻变存储器及降低其形成电压的方法无效
| 申请号： | 201110230867.2 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102931343A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 刘明;李颖弢;龙世兵;刘琦;吕杭炳;王明;张康玮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变存储器及降低其形成(Forming)电压的方法，该阻变存储器包括上电极、下电极，以及形成于该上电极与该下电极之间的阻变存储层，且该阻变存储层由氧化物存储材料构成，当采用溅射或者原子层淀积的工艺生长氧化物存储材料时，通过对提供氧元素的反应源的控制来减少氧化物中氧元素的含量，使氧化物材料中存在大量的氧空位，有利于导电细丝的形成，从而降低阻变存储器第一次由高阻态向低阻态转变时所需要的Forming电压。Forming电压的降低一方面能够进一步降低RRAM器件的功耗，并且降低了RRAM器件外围电路设计的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 降低 形成 电压 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，其特征在于，包括：上电极；下电极；以及形成于所述上电极与所述下电极之间的阻变存储层。
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