[发明专利]太阳能电池中多晶硅腐蚀液及多晶硅腐蚀工艺无效

专利信息
申请号: 201110230875.7 申请日: 2011-08-12
公开(公告)号: CN102330156A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 顾峰 申请(专利权)人: 无锡尚品太阳能电力科技有限公司
主分类号: C30B33/10 分类号: C30B33/10;C23F1/24
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人: 殷红梅
地址: 214181 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种太阳能电池中多晶硅腐蚀液,特征是,包括以下组份,其组份比例按重量份数计:氢氟酸6~7份、硝酸64~68份、去离子水26~28份。一种太阳能电池中多晶硅的腐蚀工艺,特征是,包括以下步骤:将去离子水注入到腐蚀槽中,将氢氟酸沿腐蚀槽壁缓缓的倒入腐蚀槽中,然后将硝酸沿腐蚀槽壁缓缓的倒入腐蚀槽中;开启腐蚀槽的冷却系统,使得腐蚀槽中的液体循环降温,循环时间为10~15分钟,直至腐蚀槽中液体的温度到达4~8℃,即得到腐蚀液;将多晶硅片放到腐蚀液中进行腐蚀,腐蚀时间为280~320s。本发明缩短了腐蚀时间,改善了多晶腐蚀效果,硅片绒面均匀,细密连续;表面干净一致性好,无黑线;电池片的转化效率和质量提高。
搜索关键词: 太阳能电池 多晶 腐蚀 工艺
【主权项】:
一种太阳能电池中多晶硅腐蚀液,其特征是,包括以下组份,其组份比例按重量份数计:氢氟酸6~7份、硝酸64~68份、去离子水26~28份;将去离子水注入制绒槽中,加入氢氟酸、硝酸循环冷却后即为腐蚀液。
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