[发明专利]单晶硅棒的切方工艺

摘要

本发明涉及一种单晶硅棒的切方工艺，包括以下步骤：选取长度在170-500mm之间，直径在166.5-173mm之间的单晶硅圆棒，并用粘胶垂直粘接在切方机的晶托上；加磁固定晶托和单晶硅圆棒；校准连接定位台，设定加工切割参数，开动切方机进行带砂切割；将切割后的半成品脱胶，去除边皮并分离晶托；检验上述经过脱胶并分离晶托处理后的半成品，合格品转入其他工序。本发明中的砂浆粘度、密度增加，使带砂能力加强，进给速度加快，新线放给量减少，从而使切割效果变得良好，合格率大幅度提高，极大地提高了机器的工作效率；主滚轮间距经过修正后，即使切割中带砂不够，也能保证整个尺寸控制在公差值以内。

主权项

一种单晶硅棒的切方工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）选取长度在170‑500mm之间，直径在166.5‑173mm之间的单晶硅圆棒，将单晶硅圆棒用粘胶垂直粘接在切方机的晶托上并在常温下冷却，粘胶温度为350‑400℃，单晶硅圆棒的垂直偏差角度在90°±1.5°以内；（2）将切方机的晶托和单晶硅圆棒放置在切方机加磁工作台上，编号记录，加磁固定晶托和单晶硅圆棒；（3）校准连接定位台，将切方机的主滚轮间距修正为125.3‑125.5mm，设定加工切割参数，其中，砂浆粘度为42‑45mpa.s，砂浆密度为1.73‑1.78g/cm³，砂浆温度为24.5‑25.5℃，砂浆流量为110L/min‑120L/min；新线放给量为15‑25m/min；切割线平均速度为650‑750m/min；切割速度为650‑880μm/min；然后开动切方机进行带砂切割；（4）将上述切割后的半成品转移到32‑35℃温水中放置10‑15min后，再放入65‑70℃的热水中进行脱胶，去除边皮并分离晶托；（5）检验上述经过脱胶并分离晶托处理后的半成品，合格品转入其他工序。