[发明专利]碳化硅沟槽半导体器件有效
| 申请号： | 201110231060.0 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102376751A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | R.西米尼克;M.特罗伊 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;王洪斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明名称为碳化硅沟槽半导体器件。此处描述的半导体器件包括碳化硅半导体本体。沟槽在第一表面延伸到碳化硅半导体本体中。栅极电介质和栅电极在沟槽内形成。第一导电类型的本体区邻接沟槽的侧壁，该本体区经由包括比本体区具有更高最大掺杂剂浓度的本体接触区电耦合到接触。第一导电类型的扩展区经由本体区电耦合到接触，其中扩展区沿着垂直于第一表面的垂直方向的最大掺杂剂浓度高于本体区沿着垂直方向的最大掺杂剂浓度。第一表面和扩展区的底面之间的距离大于第一表面和沟槽的底面之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 沟槽 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含：碳化硅半导体本体；在第一表面延伸到碳化硅半导体本体中的沟槽；在沟槽内的栅极电介质和栅电极；与沟槽的侧壁邻接的第一导电类型的本体区，该本体区经由包括比本体区更高最大掺杂剂浓度的本体接触区电耦合到接触；经由本体区电耦合到接触的第一导电类型的扩展区，其中该扩展区沿着垂直于第一表面的垂直方向的最大掺杂剂浓度高于本体区沿着垂直方向的最大掺杂剂浓度；并且其中第一表面和扩展区的底面之间的距离大于第一表面和沟槽的底面之间的距离。
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