[发明专利]具有表面增强拉曼散射效应的活性基底及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201110231298.3 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102391014A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 姜卫粉;高海燕;张天杰;杨晓辉;张巧丽;贾敏;吕健;蔡洪涛;凌红 | 申请（专利权）人： | 华北水利水电学院 |
| 主分类号： | C04B41/53 | 分类号： | C04B41/53;C04B41/50 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 陈浩 |
| 地址： | 450011*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有表面增强拉曼散射效应的活性基底，同时还公开了该活性基底的制备方法和应用。该活性基底的制备方法为：P型单晶硅片首先通过水热腐蚀得到硅纳米孔柱阵列，然后在硅纳米孔柱阵列表面进行化学气相沉积生长碳纳米颗粒，制得碳纳米颗粒膜/硅纳米孔柱阵列活性基底。采用该碳纳米颗粒膜/硅纳米孔柱阵列作为具有表面增强拉曼散射效应的活性基底可检测到浓度为10-6mol/L的若丹明6G分子，该活性基底具有极强的拉曼增强效应。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 表面 增强 散射 效应 活性 基底 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种具有表面增强拉曼散射效应的活性基底，其特征在于，所述活性基底由包括以下步骤的方法制备得到：（1）将电阻率小于3.0Ωcm的P型单晶硅片置入高压釜内，之后向高压釜内填充腐蚀液，所述P型单晶硅片在腐蚀液中于100～200℃下腐蚀30～60分钟，制备得到硅纳米孔柱阵列；（2）将硅纳米孔柱阵列置于反应炉内，然后在保护气体氮气气氛下反应炉内温度升至700℃～1200℃，之后停止向反应炉内通入保护气体，改为向反应炉内通入载气，载气为氮气和氢气的混合气体，载气将碳源二甲苯以0.1～0.8ml/min带至反应炉内，于700℃～1200℃下在硅纳米孔柱阵列表面进行化学气相沉积生长碳纳米颗粒，反应时间为5～15分钟，之后再在保护气体氮气气氛下将反应炉内温度降至室温，得到碳纳米颗粒膜/硅纳米孔柱阵列活性基底。
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