[发明专利]复合衬底及其制造方法、异质外延制备单晶厚膜的方法无效
| 申请号： | 201110231621.7 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102304760A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘良宏;庄德津 | 申请（专利权）人： | 青岛铝镓光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/38;H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 266101 山东省青岛市崂*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种复合衬底，用于外延生长III族氮化物半导体单晶厚膜，其特征在于，包括：异质衬底以及异质衬底上的缓冲层，其中，所述异质衬底的厚度为0.5至13毫米。由于复合衬底具有大厚度，在其上生长单晶厚膜后，从生长温度降至室温时，复合衬底上所受的应力小于其断裂应力，而单晶厚膜具有相当的或更厚的厚度时，也不会造成复合衬底的破裂，进而也就不会造成单晶厚膜的破裂，从而保证了形成的单晶厚膜的尺寸，得到大尺寸的单晶厚膜。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 衬底 及其 制造 方法 外延 制备 单晶厚膜 | ||
【主权项】：
一种复合衬底，用于外延生长III族氮化物半导体单晶厚膜，其特征在于，包括：异质衬底以及异质衬底上的缓冲层，其中，所述异质衬底的厚度为0.5至13毫米。
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