[发明专利]提高单晶硅晶棒中氧含量的方法及装置无效
| 申请号： | 201110231806.8 | 申请日： | 2011-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN102345154A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 韩建超;尚海波 | 申请（专利权）人： | 上海合晶硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201617 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高单晶硅晶棒中氧含量的方法，多晶硅熔融后拉制成晶棒，其特征在于，将多晶硅于石英坩埚内熔融，所述石英坩埚内设置有石英环。本发明中，通过在石英坩埚中放置石英环，增大了硅熔汤与石英的接触面积，可确保有足够的石英分解为晶棒提供氧。即使硅熔汤减少，仍能确保晶棒尾部有足够的氧供应，提高了单晶硅晶棒的良率。使用本发明中的方法和装置，既可以提高晶棒中氧含量的平均值，也可以提高晶棒尾部的氧含量。而且本发明中采用石英环，可避免石英环与硅熔汤接触面积过大而漂浮于表面，确保生产的顺利进行。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 单晶硅 晶棒中氧 含量 方法 装置 | ||
【主权项】：
提高单晶硅晶棒中氧含量的方法，多晶硅熔融后拉制成晶棒，其特征在于，将多晶硅于石英坩埚内熔融，所述石英坩埚内设置有石英环。
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