[发明专利]增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法及结构有效

专利信息
申请号: 201110231923.4 申请日: 2011-08-15
公开(公告)号: CN102623312A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 简荣吾 申请(专利权)人: 英稳达科技股份有限公司
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265;H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/068
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 代理人: 杨波
地址: 中国台湾桃园*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法,至少包括以下步骤:提供表面已粗糙化且为p型轻掺杂的硅基板;施以第一次毯覆式且较低能量n型离子布植,以形成n型杂质第一掺杂区,因此,第一掺杂区与p型硅基板接面形成第一道pn接面空乏区;以及施以第二次较高能量n型离子布植,以具有多个开口图案的遮罩为离子布值遮罩,以形成多个n型杂质第二掺杂区,第二掺杂区连接自第一掺杂区且如弹头形向下延伸,第二掺杂区与p型硅基板接面形成弹头形的第二道pn接面空乏区,第一道pn接面空乏区与第二道pn接面空乏区相连接,電流增加池的製程扩大pn接面面积。采用本发明的增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法,可以增加光电流,使太阳能电池的光电转换效率大幅提升。
搜索关键词: 增加 太阳能电池 pn 空乏 大小 方法 结构
【主权项】:
一种增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法,其特征在于,所述方法至少包括以下步骤:提供表面已粗糙化且为p型轻掺杂的半导体基板;施以第一次毯覆式,且较低能量高剂量的n型离子布植,以形成n型杂质第一掺杂区,所述第一掺杂区与p型半导体基板接面形成第一道pn接面空乏区;以及施以第二次毯覆式,且较高能量低剂量的n型离子布植,以形成n型杂质第二掺杂区,所述第二掺杂区连接所述第一掺杂区,且向所述第一掺杂区下方延伸,并覆盖过所述第一道pn接面空乏区,与所述p型半导体基板接面形成第二道pn接面空乏区,其中,布植剂量的选择以约略大于或能补偿p型半导体基板的原始掺杂浓度为原则,以增加所述pn接面空乏区的宽度。
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