[发明专利]增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法及结构有效
申请号: | 201110231923.4 | 申请日: | 2011-08-15 |
公开(公告)号: | CN102623312A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 简荣吾 | 申请(专利权)人: | 英稳达科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/068 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
地址: | 中国台湾桃园*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法,至少包括以下步骤:提供表面已粗糙化且为p型轻掺杂的硅基板;施以第一次毯覆式且较低能量n型离子布植,以形成n型杂质第一掺杂区,因此,第一掺杂区与p型硅基板接面形成第一道pn接面空乏区;以及施以第二次较高能量n型离子布植,以具有多个开口图案的遮罩为离子布值遮罩,以形成多个n型杂质第二掺杂区,第二掺杂区连接自第一掺杂区且如弹头形向下延伸,第二掺杂区与p型硅基板接面形成弹头形的第二道pn接面空乏区,第一道pn接面空乏区与第二道pn接面空乏区相连接,電流增加池的製程扩大pn接面面积。采用本发明的增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法,可以增加光电流,使太阳能电池的光电转换效率大幅提升。 | ||
搜索关键词: | 增加 太阳能电池 pn 空乏 大小 方法 结构 | ||
【主权项】:
一种增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法,其特征在于,所述方法至少包括以下步骤:提供表面已粗糙化且为p型轻掺杂的半导体基板;施以第一次毯覆式,且较低能量高剂量的n型离子布植,以形成n型杂质第一掺杂区,所述第一掺杂区与p型半导体基板接面形成第一道pn接面空乏区;以及施以第二次毯覆式,且较高能量低剂量的n型离子布植,以形成n型杂质第二掺杂区,所述第二掺杂区连接所述第一掺杂区,且向所述第一掺杂区下方延伸,并覆盖过所述第一道pn接面空乏区,与所述p型半导体基板接面形成第二道pn接面空乏区,其中,布植剂量的选择以约略大于或能补偿p型半导体基板的原始掺杂浓度为原则,以增加所述pn接面空乏区的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造