[发明专利]一种增强铝制程金属层与光阻附着力的表面处理方法有效
| 申请号： | 201110232265.0 | 申请日： | 2011-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102543846A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张亮;姬峰;李磊;陈玉文;胡友存 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/312 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强金属层与光阻附着力的表面处理方法，用在金属层上涂覆光刻胶方法中，其中，在基底上制成有金属层及覆盖在金属层上的金属阻挡层，主要包括以下步骤：在反应腔室中通入含氧气体并对含氧气体进行等离子化，对所述覆盖在金属层上方的金属阻挡层进行高温等离子体氧化热处理，生成一层位于所述覆盖在金属层上方的金属阻挡层表面的金属氧化物薄层；在反应腔室中通入硅基有机物化合物气体，在所述金属氧化物薄层表面上对所述硅基有机物化合物进行化学吸附产生一层吸附层，将反应腔室内多余的所述硅基有机物化合物气体抽离，仅保留所述吸附层；将所述吸附层在等离子体活化反应下生成一层第一粘结过渡层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 铝制 金属 附着力 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种增强金属层与光阻附着力的表面处理方法，用在金属层上涂覆光刻胶方法中，其中，在基底上制成有金属层及覆盖在金属层上的金属阻挡层，其特征在于，主要包括以下步骤：在反应腔室中通入含氧气体并对含氧气体进行等离子化，对所述覆盖在金属层上方的金属阻挡层进行高温等离子体氧化热处理，生成一层位于所述覆盖在金属层上方的金属阻挡层表面的金属氧化物薄层； 在反应腔室中通入硅基有机物化合物气体，在所述金属氧化物薄层表面上对所述硅基有机物化合物进行化学吸附而产生一层吸附层，之后将反应腔室内多余的所述硅基有机物化合物气体抽离，仅保留位于所述金属氧化物薄层表面上的吸附层；将所述吸附层在等离子体活化反应下生成一层第一粘结过渡层，所述金属氧化物薄层与所述第一粘结过渡层用于加强HMDS或光阻与金属层及位于金属层上方的金属阻挡层的粘附力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
