[发明专利]一种对工艺反应腔室进行检漏的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种对工艺反应腔室进行检漏的方法。本发明提出一种对工艺反应腔室进行检漏的方法，通过在前导菜单开始前，增加特定的工艺流程，在器件没有进入到工艺腔室前即对其进行检漏，从而避免了由于工艺腔室漏气引起反应气体接触大气，产生能导致硅片报废的严重颗粒问题，同时没有人力和机时的消耗，并且检测频率可以覆盖到产能所带来的硅片风险。

主权项

一种对工艺反应腔室进行检漏的方法，其中，晶圆的制备流程在所述工艺反应腔室中进行，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在晶圆送入工艺反应腔室内之前，将工艺反应腔室内的气压降至底压，设定此时的低压值为标准低压值；步骤2，保持所述工艺反应腔室内的气压为底压持续一段时间后，检测所述工艺反应腔室内的气压值；步骤3，若步骤2中所述工艺腔室内的气压值小于标准低压值，则开始将晶圆送入工艺反应腔室进行制备；若步骤2中所述工艺腔室内的气压大于或等于所述标准低压值，且持续一段时间后所述工艺腔室内的气压仍然大于或等于所述标准低压值，则进入报警系统，同时终止将晶圆送入工艺反应腔室。