[发明专利]一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法有效
| 申请号： | 201110232277.3 | 申请日： | 2011-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102420153A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 黄海;吕煜坤;任昱;曾林华;刘斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法，其中，包括以下工艺：在介质膜中进行刻蚀，形成位于介质膜中的多个通孔；介质膜上面涂覆一层光刻胶，并且光刻胶还填充在多个通孔中；对光刻胶进行回刻直至介质膜上方的光刻胶完全移除，同时测量此刻回刻过程中的回刻时间；以及根据回刻时间的终结点来判断通孔的内径大小或深度是否异常。本发明一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法，有效的使通过检测光刻胶回刻所反应的终结点时间的方法来对孔的深度和孔的形貌是否正常进行判断。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 光刻 胶回刻 反应 终结 判断 孔径 形貌 是否 正常 方法 | ||
【主权项】：
一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法，其特征在于，包括以下工艺：在所述介质膜中进行刻蚀，形成位于介质膜中的多个通孔；介质膜上面涂覆一层光刻胶，并且所述光刻胶还填充在所述多个通孔中；对所述光刻胶进行回刻直至介质膜上方的光刻胶完全移除，同时测量此刻回刻过程中的回刻时间；以及根据所述回刻时间的终结点来判断通孔的内径大小或深度是否异常。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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