[发明专利]异质结构场效晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110232504.2 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102446957B | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 刘世明;苑承刚 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种异质结构场效晶体管及其制作方法，其中所述晶体管的改良结构包括有基板、通道层、间格层、δ掺杂层、肖特基层、高能隙肖特基覆盖层、穿隧层、第一蚀刻终止层以及第一n型掺杂覆盖层。所述制作方法则包括以下步骤：使用第一蚀刻制程对n型掺杂覆盖层进行蚀刻，以形成第一开口；使用第二蚀刻制程对该第一蚀刻终止层进行蚀刻，以于第一开口正下方形成第二开口；使用第三蚀刻制程该穿隧层进行蚀刻，以于第二开口正下方形成第三开口。本发明晶体管的结构及其制备方法不但可以降低组件的导通电阻，亦可保持肖特基接触的高崩溃电压，同时又可维持组件制作的稳定性及可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种异质结构场效晶体管，包括：一基板；一通道层，形成该基板上；一间格层，形成于该通道层上；一δ掺杂层，形成于该间格层上；一肖特基层，形成于该δ掺杂层上；一高能隙肖特基覆盖层，覆盖于该肖特基层上；一穿隧层，形成于该高能隙肖特基覆盖层上；一第一蚀刻终止层，形成于穿隧层上；一第一n型掺杂覆盖层，形成于该第一蚀刻终止层上；一源极电极，直接形成于该第一n型掺杂的覆盖层上，形成欧姆接触；一汲极电极，直接形成于该第一n型掺杂的覆盖层上，形成欧姆接触；以及一闸极电极，先经由蚀刻制程于高能隙肖特基覆盖层上形成一第一闸极凹槽，并使该闸极电极接触于该高能隙肖特基覆盖层，形成肖特基接触。
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