[发明专利]包角晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110232531.X | 申请日： | 2011-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102856378A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 吴铁将;江昱德;丁裕伟 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种包角晶体管及其制造方法，该制造方法包括在衬底中形成隔离结构，定义出有源区。之后，进行处理工艺，使有源区的衬底两边具有尖角。接着，于有源区的衬底的表面上覆盖栅介电层。然后，于栅介电层上形成栅极导体层。于栅极导体层两侧的衬底中形成源极区以及漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包角晶体管的制造方法，包括：在一衬底中形成一隔离结构，以定义出一有源区；进行一处理工艺，使该有源区的该衬底两边具有尖角；于该有源区的该衬底的表面覆盖一栅介电层；于该栅介电层上形成一栅极导体层；以及。于该栅极导体层两侧的该衬底中形成一源极区以及一漏极区。
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