[发明专利]薄膜太阳能电池多级PECVD沉积设备有效
申请号: | 201110232954.1 | 申请日: | 2011-08-15 |
公开(公告)号: | CN102277562A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 李毅;虞晓江;胡盛明 | 申请(专利权)人: | 深圳市创益科技发展有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/513 |
代理公司: | 深圳市毅颖专利商标事务所 44233 | 代理人: | 张艺影 |
地址: | 518029 广东省深圳市福*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于沉积薄膜太阳能电池的多级等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,属于太阳能电池技术领域。解决PECVD沉积设备工艺气体利用率低、操作复杂等技术问题。一种薄膜太阳能电池多级PECVD沉积设备,包括安装在真空室内的沉积盒,该沉积盒是由多个沉积腔室串联构成的多级沉积腔体,该腔体的第一级沉积腔室与进气室连通,且腔体的腔壁上设有通气孔,相邻沉积腔室由混气室串联成一体,所述沉积腔室内还设有补气管路,装有沉积基片的电极板固定在沉积腔室内。本发明采用多级沉积腔体结构,各级沉积腔体由混气室有效连接,有效地提高了PECVD薄膜制备过程中对工艺气体的利用率。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 多级 pecvd 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池多级PECVD沉积设备,包括安装在真空室(01)内的沉积盒(02),其特征在于所述沉积盒(02)是由多个沉积腔室串联构成的多级沉积腔体,该腔体的第一级沉积腔室(24)与进气室(25)连通,且腔体的腔壁上设有通气孔(20),相邻沉积腔室由混气室(23)串联成一体,所述沉积腔室内还设有补气管路(30),装有沉积基片(27)的电极板(26)固定在沉积腔室内。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的