[发明专利]一种电容的失效分析方法无效
| 申请号： | 201110233604.7 | 申请日： | 2011-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102419338A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 吴春晖 | 申请（专利权）人： | 上海华碧检测技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/22 | 分类号： | G01N23/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200433 上海市杨*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电容的失效分析方法，包括以下步骤：A、对需要进行分析的电容样品进行外观观察，分析可能的实效原因；B、对需要进行分析的电容样品进行X-Ray透视检查，确认电容的内部结构；C、使用小刀将电容划开，取出电容样品中的薄膜；D、将需要进行分析的电容样品制作成金相切片样品；E、使用扫描电子显微镜对金相切片好的样品进行观察分析；F、综合分析上述步骤得出的结果，确定电容失效的原因。本发明带来的有益效果是：本发明方法步骤简单清晰，可准确分析出电容失效的原因，不会造成误判。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 失效 分析 方法 | ||
【主权项】：
一种电容的失效分析方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：A、对需要进行分析的电容样品进行外观观察，分析可能的实效原因；B、对需要进行分析的电容样品进行X‑Ray透视检查，确认电容的内部结构；C、使用小刀将电容划开，取出电容样品中的薄膜；D、将需要进行分析的电容样品制作成金相切片样品；E、使用扫描电子显微镜对金相切片好的样品进行观察分析；F、综合分析上述步骤得出的结果，确定电容失效的原因。
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