[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置的制造方法。制造具有优良的电特性的晶体管。在衬底之上形成氧化物绝缘膜，在该氧化物绝缘膜之上形成氧化物半导体膜，然后在使氧化物半导体膜中所含有的氢解除吸附并且使氧化物绝缘膜中所含有的部分氧解除吸附的温度下执行热处理，然后将所加热的氧化物半导体膜蚀刻成预定形状以形成岛形氧化物半导体膜，在该岛形氧化物半导体膜之上形成电极对，在该电极对和岛形氧化物半导体膜之上形成栅极绝缘膜，以及在栅极绝缘膜之上形成栅电极。

主权项

一种用于制造半导体装置的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成氧化物绝缘膜；在所述氧化物绝缘膜之上形成氧化物半导体膜；在形成所述氧化物半导体膜之后执行热处理；在执行所述热处理之后蚀刻所述氧化物半导体膜的一部分以形成岛形氧化物半导体膜；在所述岛形氧化物半导体膜之上形成电极对；在所述岛形氧化物半导体膜和所述电极对之上形成栅极绝缘膜；以及形成与所述岛形氧化物半导体膜重叠的栅电极，所述栅极绝缘膜处于所述栅电极和所述岛形氧化物半导体膜之间。