[发明专利]CVD机台的晶圆传送系统和晶圆传送方法无效
| 申请号： | 201110234936.7 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102953042A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李晶 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CVD机台的晶圆传送系统，包括：淀积腔体，用于收容晶圆以进行化学气相沉积；传送臂，用于将晶圆传送到淀积腔体；还包括：光信号发生器，安装在传送臂上，用于向晶圆发射光信号；光传感器，用于监测光信号发生器发出的光信号。与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过设置光信号发生器和光传感器，检测晶圆和传送臂的相对位置，避免将不符合要求的晶圆送入淀积腔体。 | ||
| 搜索关键词： | cvd 机台 传送 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种CVD机台的晶圆传送系统，包括：淀积腔体，用于收容晶圆以进行化学气相沉积；传送臂，用于将晶圆传送到淀积腔体；其特征在于，还包括：光信号发生器，安装在传送臂上，用于向晶圆发射光信号；光传感器，用于监测光信号发生器发出的光信号。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
