[发明专利]一种形成镍硅化物阻挡层的方法有效
| 申请号： | 201110235220.9 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102437034A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 周军;傅昶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成镍硅化物阻挡层的方法，主要包括以下几个步骤：在硅衬底的表面进行清洁处理，以清除硅衬底的表面的氧化物在所述硅衬底上沉积一层第一金属层；对所述第一金属层进行抗氧化处理，之后再在第一金属层上沉积第二金属层，所述第一、第二金属层共同构成硅衬底的表面的金属阻挡层。所述硅衬底表面淀积的第一金属层为镍或NiPt，硅衬底表面淀积的第一金属层后，在20℃至100℃温度下、压力为0.01至1MPa，持续时间为1秒至5分钟，向第一金属层表面通入一种防止镍被氧化的氢气，之后再在第一金属层上沉积第二金属层，第二金属层为氮化钛，第一、第二金属层共同构成硅衬底的表面的金属阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 镍硅化物 阻挡 方法 | ||
【主权项】：
一种形成镍硅化物阻挡层的方法，其特征在于：主要包括以下几个步骤：在硅衬底的表面进行清洁处理，以清除硅衬底的表面的氧化物；在所述硅衬底上沉积一层第一金属层；对所述第一金属层进行抗氧化处理，之后再在第一金属层上沉积第二金属层，所述第一、第二金属层共同构成硅衬底的表面的金属阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
