[发明专利]一种提高集成电路电容密度的工艺有效
| 申请号： | 201110235243.X | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102437176A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 郑春生;张文广;徐强;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/92;H01L27/08;H01L21/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MIM结构电容的子模块，该电容由若干子模块组成，该子模块包括有A基槽、A极槽、介电质材料层、B基槽、B极槽，其中在介质材料层中，存在一个A基槽和B基槽，A基槽和B基槽相互平行，A基槽上依次设置若干与A基槽垂直的A极槽，B基槽上依次设置若干与B基槽垂直的B极槽，A极槽与B极槽在物理空间内相互平行，A极槽与B极槽依次相邻设置，所有的A基槽和A基槽上的A极槽与所有的B基槽和B基槽上的B极槽相互隔离，被介电质材料隔离，一种MIM结构电容结构，所述MIM结构电容结构由前述的一种MIM结构电容的子模块构成，所述MIM结构电容结构由4个MIM结构电容的子模块依次连接构成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 集成电路 电容 密度 工艺 | ||
【主权项】：
一种MIM结构电容的子模块，其特征在于：该电容由若干子模块组成，该子模块包括有A基槽、A极槽、介电质材料层、B基槽、B极槽，其中在介质材料层中，存在一个A基槽和B基槽，A基槽和B基槽相互平行，A基槽上依次设置若干与A基槽垂直的A极槽，B基槽上依次设置若干与B基槽垂直的B极槽，A极槽与B极槽在物理空间内相互平行，A极槽与B极槽依次相邻设置，所有的A基槽和A基槽上的A极槽与所有的B基槽和B基槽上的B极槽相互隔离，被介电质材料隔离。
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