[发明专利]一种提高浮体动态随机存储器单元写入速度的注入方法及结构有效
| 申请号： | 201110235254.8 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102437123A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高浮体动态随机存储器单元写入速度的注入方法及结构。本发明公开了一种提高浮体动态随机存储器单元写入速度的注入方法及结构，通过进行斜角重掺杂离子注入工艺，一方面提高了漏端沟道中的纵向电场，增大了衬底电流，另一方面拉远了源端与衬底间的距离，降低了积聚载流子从源端的泄漏速度，从而提高了浮体效应存储单元的写入速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 动态 随机 存储器 单元 写入 速度 注入 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种提高浮体动态随机存储器单元写入速度的注入方法，一衬底上设置有栅极的半导体器件，其特征在于，包括以下步骤：对半导体器件进行斜角重掺杂离子注入工艺，于衬底中形成沟道、源极和漏极；其中，离子注入向漏极方向倾斜，漏极中的掺杂离子比源极中的掺杂离子更靠近沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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