[发明专利]一种新型的两位SONOS存储单元结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种新型的两位SONOS存储单元结构，包括SONOS存储器，所述SONOS存储器包括硅基底、隧穿氧化硅层、氮化硅存储介质层、氧化硅层和多晶硅层，所述隧穿氧化硅层覆于所述硅基底上，所述氮化硅存储介质层覆于所述隧穿氧化硅层上，所述氧化硅层覆于所述氮化硅存储介质层上，所述多晶硅层覆于所述氧化硅层上，其中，还包括凹槽，所述凹槽位于所述氧化硅层表面。本发明的有益效果是：在不改变器件尺寸的前提下，使存储容量提高一倍，阻止了bit间电荷横向扩散，进一步实现了准确确定每个bit的开关状态，使存储单元的每个bit数据耐久性及电荷保持性都得到改善。

主权项

一种新型的两位 SONOS存储单元结构，包括SONOS存储器，所述SONOS存储器包括硅基底、隧穿氧化硅层、氮化硅存储介质层、氧化硅层和多晶硅层，所述隧穿氧化硅层覆于所述硅基底上，所述氮化硅存储介质层覆于所述隧穿氧化硅层上，所述氧化硅层覆于所述氮化硅存储介质层上，所述多晶硅层覆于所述氧化硅层上，其特征在于，还包括凹槽，所述凹槽位于所述氧化硅层表面，并依次穿透所述氧化硅层、所述氮化硅存储介质层和隧穿氧化层直至所述硅基底为止，所述凹槽内有氧化物填充层，所述氧化物填充层高度超过所述氮化硅存储介质层并低于所述氧化硅层表面，所述凹槽内未被所述氧化物填充层填满的部分形成填充空间，所述多晶硅层伸入所述填充空间，且将所述填充空间填满。