[发明专利]一种调节浅槽隔离垫层氧化膜厚度的方法无效
| 申请号： | 201110235261.8 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102437084A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 景旭斌;杨斌;郭明升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明披露了一种调节浅槽隔离垫层氧化膜厚度的方法。在硅衬底上形成有浅沟槽隔离结构（STI），并且浅沟槽隔离结构周围的硅衬底上还覆盖有浅槽隔离垫层氧化膜，设定所需浅槽隔离垫层氧化膜厚度的目标值，当浅槽隔离垫层氧化膜的残留膜厚超过目标值时，利用湿法工艺处理获取想要的目标值，但当浅槽隔离垫层氧化膜的残留膜厚低于目标值时，通过湿氧氧化工艺进行补偿，使浅槽隔离垫层氧化膜达到所需要的目标值。从而将垫层氧化膜厚度波动范围从超过+/-30A缩小到10A内，从而可提高形成的半导体器件的稳定性，有利于大规模量产高要求的产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 隔离 垫层 氧化 厚度 方法 | ||
【主权项】：
一种调节浅槽隔离垫层氧化膜厚度的方法，在硅衬底上形成有浅沟槽隔离结构（STI），并且浅沟槽隔离结构周围的硅衬底上还覆盖有浅槽隔离垫层氧化膜，其特征在于，其步骤包括：1）设定所需浅槽隔离垫层氧化膜厚度的目标值；2）当残留膜厚高于目标值时，进行湿法工艺处理，对所述的浅槽隔离垫层氧化膜进行刻蚀，使浅槽隔离垫层氧化膜达到所需要的目标值；3）当残留膜厚低于目标值时，利用湿氧氧化工艺进行处理，对所述的浅槽隔离垫层氧化膜进行增加厚度，使浅槽隔离垫层氧化膜达到所需要的目标值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
