[发明专利]一种在钛金属表面原位生长介电薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110235787.6 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102277610A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 李文芳;郭会勇;黄文波;王敏 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在钛金属表面原位生长介电薄膜及其制备方法，包括如下步骤：配置电解液采用氢氧化钡或氢氧化锶或两者的混合液，其中氢氧化钡溶液的摩尔浓度在0~0.6mol/L之间，氢氧化锶溶液的摩尔浓度在0~0.3mol/L之间；采用直流脉冲电源，电流密度为100~500mA/cm2，脉冲频率为50~250Hz，占空比为60%~95%，处理时间为6~60min；将钛金属基体连接到阳极，反应时控制电解液的温度保持在50～60℃之间；反应后，取下被处理的钛金属，用蒸馏水冲洗，烘干。本发明工序简单、成膜速度快，薄膜与基体Ti的结合为冶金结合，薄膜具有优异的介电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属表面 原位 生长 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种在钛金属表面原位生长介电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 配置电解液：电解液采用氢氧化钡或氢氧化锶或两者的混合液，其中氢氧化钡溶液的摩尔浓度在0~0.6mol/L之间，氢氧化锶溶液的摩尔浓度在0~0.3mol/L之间；所述电解液在电磁加热搅拌器上搅拌，溶质完全溶解即可； (2) 设置微弧氧化电源电参数：采用直流脉冲电源，脉冲波形为方波，模式为恒电流模式；电流密度为100~500mA/cm2，脉冲频率为50~250Hz，占空比为60%~95%；处理时间为6~60min；(3) 微弧氧化：将钛金属基体连接到阳极，浸没于上述电解液中进行微弧氧化反应，反应过程中控制电解液的温度保持在50～60℃之间；反应后，取下钛金属，用蒸馏水冲洗后，再在蒸馏水中浸泡1～2小时，烘干，即可在钛金属表面原位生长所需介电薄膜。
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