[发明专利]三轴加速度计的制作方法有效
| 申请号： | 201110235832.8 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102417155A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 张睿;葛舟;孟珍奎;谢金;杨斌;张庆鑫;刘友合;徐景辉 | 申请（专利权）人： | 瑞声声学科技(深圳)有限公司;瑞声科技(新加坡)有限公司;瑞声声学科技(常州)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01P15/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三轴加速度计的制作方法，该三轴加速度计利用SOI晶片做衬底，在一块晶片上完成三轴加速度计的XY轴以及Z轴的结构层，降低了生产成本，并且简化了制作过程。 | ||
| 搜索关键词： | 加速度计 制作方法 | ||
【主权项】：
一种三轴加速度计的制作方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：A、提供一SOI晶片，该SOI晶片包括硅衬底层、中间氧化层和掺杂硅顶层；B、利用深反应离子刻蚀技术在掺杂硅顶层刻蚀出凹槽，使所述凹槽贯穿整个掺杂硅顶层；C、用等离子体增强型化学汽相淀积的方法在所述掺杂硅顶层上淀积第一保护层；D、在第一保护层刻蚀出若干缝隙；E、用化学汽相淀积的方法在所述第一保护层与掺杂硅顶层之间淀积第二保护层；F、在所述第一保护层上淀积牺牲层；G、使用光刻技术对牺牲层进行图案化；H、用低压化学汽相淀积的方法在牺牲层以及第二保护层上淀积多晶硅层，并使用刻蚀技术对多晶硅层及第二保护层图案化；I、在第一保护层及多晶硅层镀上金属；J、在与多晶硅相对的硅衬底层刻蚀出贯穿整个硅衬底层的背腔；K、用深反应离子刻蚀技术将缝隙贯穿整个掺杂硅顶层至中间氧化层；L、释放整个结构，得到三轴加速度计。
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