[发明专利]对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法有效
| 申请号： | 201110236597.6 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102955112A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 赵妙;刘新宇;郑英奎;彭铭曾;魏珂;欧阳思华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01J5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，包括：对被测GaN基器件进行封装测试，确定被测GaN基器件的直流稳态功率；采用显微红外热像仪测量器件的结温，并对测量得到的结温进行数学拟和得到被测GaN基器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系，确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件；对被测GaN基器件进行直流稳态功率老化，获得被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线；由该被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线确定器件各特性参数趋于稳定的阈值时间，确定器件进行直流稳态老化的时间；对多个被测GaN基器件进行老化筛选，剔除在该阈值时间内器件特性参数难以稳定的器件，实现对GaN基器件的直流稳态功率老化的预筛选。 | ||
| 搜索关键词： | gan 器件 直流 稳态 功率 老化 进行 筛选 方法 | ||
【主权项】：
一种对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，其特征在于，该方法包括：对被测GaN基器件进行封装测试，确定被测GaN基器件的直流稳态功率；采用显微红外热像仪测量被测GaN基器件的结温，并对测量得到的结温进行数学拟和得到被测GaN基器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系，确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件以及老化时所处的环境温度的条件；在该被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件下对被测GaN基器件进行直流稳态功率老化，获得被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线；由该被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线确定器件各特性参数趋于稳定的阈值时间；以及对多个被测GaN基器件进行老化筛选，剔除在该阈值时间内器件特性参数难以稳定的器件，实现对GaN基器件的直流稳态功率老化的预筛选。
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