[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110239272.3 | 申请日： | 2011-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102956482A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;李超伟;隋运奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件的制造方法，包括：提供晶体管结构，所述晶体管结构包括形成在硅基体上的掩埋氧化物层、形成在所述掩埋氧化物层上的鳍形沟道、形成在所述鳍形沟道和掩埋氧化物层上的栅极材料层、以及形成在所述栅极材料层上的氧化物层；在所述氧化物层上形成APF层；在所述APF层上形成有机材料层；在所述有机材料层上形成覆盖层；在所述覆盖层上依次形成底部抗反射涂层和光刻胶，对所述栅极材料层进行图形化处理。根据本发明，利用APF层和采用旋涂工艺形成的有机材料层作为FinFet多晶硅栅极的图形化过程的图形转移层，可以使晶圆表面平坦，保证图形化的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供晶体管结构，所述晶体管结构包括形成在硅基体上的掩埋氧化物层、形成在所述掩埋氧化物层上的鳍形沟道、形成在所述鳍形沟道和掩埋氧化物层上的栅极材料层、以及形成在所述栅极材料层上的氧化物层；在所述氧化物层上形成APF层；在所述APF层上形成有机材料层；在所述有机材料层上形成覆盖层；在所述覆盖层上依次形成底部抗反射涂层和光刻胶，对所述栅极材料层进行图形化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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