[发明专利]一种熔盐提拉法生长KTP优质单晶的方法无效
| 申请号： | 201110239820.2 | 申请日： | 2011-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102465332A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王昌运;陈伟;吴少凡;郑熠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B9/12;C30B29/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种熔盐提拉法生长KTP优质单晶的方法。本发明的核心内容是采用磷酸二氢钾、磷酸氢二钾和二氧化钛为原料，利用K6P4O13为助熔剂生长，KTP:K6P4O13＝0.5g/1g，转速15r/min，拉速0.2mm/day～2mm/day，降温速率0.2℃/day～2℃/day。本发明具有简单、有效缩短生长周期、节约成本、高效等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 熔盐提拉法 生长 ktp 优质 方法 | ||
【主权项】：
一种熔盐提拉法生长KTP优质单晶的方法，其特征在于采用磷酸二氢钾、磷酸氢二钾和二氧化钛为原料，利用K6P4O13为助熔剂生长，使用熔盐结合提拉的方法生长KTP单晶。
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