[发明专利]相变存储器的制造方法有效
| 申请号： | 201110240342.7 | 申请日： | 2011-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102956817A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 何其旸;张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储器的制造方法，包括：提供半导体基底，包含有衬底，依次位于衬底上的阱区、外延层；在所述外延层形成第一硬掩膜层图形；形成覆盖所述第一硬掩膜层图形的介质层；在所述介质层表面形成第二硬掩膜图形；以所述第二硬掩膜层图形为掩膜，刻蚀所述外延层、阱区及衬底，形成深沟槽；接着去除所述介质层，暴露出所述第一硬掩膜层图形；所述第一硬掩膜层图形为掩膜，刻蚀所述外延层，形成浅沟槽；对所述浅沟槽和深沟槽进行填充，形成浅沟槽隔离区和深沟槽隔离区。本发明提高深沟槽刻蚀和浅沟槽刻蚀的工艺处理空间，并且易于形成最佳密度的字线和位线的密度排布。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底至少包含有衬底，依次位于衬底上的阱区、外延层；在所述外延层表面形成第一硬掩膜层图形，所述第一硬掩膜层图形与后续形成的浅沟槽的图形对应；形成覆盖所述第一硬掩膜层图形的介质层，且所述介质层具有平坦的表面；在所述介质层表面形成第二硬掩膜层图形，所述第二硬掩膜层图形与后续形成的深沟槽的图形对应；以所述第二硬掩膜层图形为掩膜，刻蚀所述外延层、阱区及衬底，形成深沟槽；接着去除所述介质层，暴露出所述第一硬掩膜层图形；以所述第一硬掩膜层图形为掩膜，刻蚀所述外延层，形成浅沟槽；对所述浅沟槽和深沟槽进行填充，形成浅沟槽隔离区和深沟槽隔离区。
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