[发明专利]一种石斛的种植方法无效
申请号: | 201110240457.6 | 申请日: | 2011-08-22 |
公开(公告)号: | CN102265778A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 王凤义;邵丹 | 申请(专利权)人: | 王凤义 |
主分类号: | A01G31/00 | 分类号: | A01G31/00;A01G31/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 236800 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种石斛的种植方法,是在石斛的基质中铺设回环的管道,管道周围设置翅状散热(冷)片,基质在翅状散热(冷)片间并高出翅状散热(冷)片0.5-2厘米,管道的一端从热(冷)源中取热(冷),经过管道,再通过翅状散热(冷)片实现对石斛根系或/和临近基质的加热(冷)。本发明加热管道和散热片对基质进行加热,形成“温床”,使石斛种植始终保持在适宜的温湿度条件下,可提高产量和质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 石斛 种植 方法 | ||
【主权项】:
一种石斛的种植方法,其特征是:在石斛的基质中铺设回环的管道,管道周围设置翅状散热(冷)片,基质在翅状散热(冷)片间并高出翅状散热(冷)片0.5‑2厘米,管道的一端从热(冷)源中取热(冷),经过管道,再通过翅状散热(冷)片实现对石斛根系或/和临近基质的加热(冷)。
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