[发明专利]半导体晶体管结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110241106.7 | 申请日： | 2011-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102280454A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张严波;韩伟华;杜彦东;李小明;陈艳坤;杨香;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/78;H01L21/84;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体晶体管结构，包括：一绝缘体上硅，该绝缘体上硅包括埋氧层和顶层硅，该顶层硅的中间有一凹部，该凹部两侧分别为顶层硅的源区和漏区，该源区和漏区之间通过多个硅鳍状结构连接形成沟道，该顶层硅的源区、漏区和硅鳍状结构为同一掺杂类型；一栅极导电条制作在凹部内，并包裹硅鳍状结构；一漏电极，该漏电极制作在顶层硅的漏区上；一源电极，该源电极制作在顶层硅的源区上；一栅电极，该栅电极制作在栅极导电条上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶体管结构，包括：一绝缘体上硅，该绝缘体上硅包括埋氧层和顶层硅，该顶层硅的中间有一凹部，该凹部两侧分别为顶层硅的源区和漏区，该源区和漏区之间通过多个硅鳍状结构连接形成沟道，该顶层硅的源区、漏区和硅鳍状结构为同一掺杂类型；一栅极导电条制作在凹部内，并包裹硅鳍状结构；一漏电极，该漏电极制作在顶层硅的漏区上；一源电极，该源电极制作在顶层硅的源区上；一栅电极，该栅电极制作在栅极导电条上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
