[发明专利]金属栅极晶体管、集成电路、系统及其制造方法在审
| 申请号： | 201110241601.8 | 申请日： | 2011-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102468180A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 何建志;赵治平;曾华洲;陈俊宏;苏嘉祎;亚历克斯·卡尔尼茨基;郑价言;庄学理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/768;H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成集成电路结构的方法，包括：在层间电介质(ILD)中提供栅极带。栅极带包括高k栅极电介质上方的金属栅电极。电传导结构形成在栅极带上方，且导电带形成在电传导结构上方。导电带的宽度比栅极带的宽度大。接触插塞形成在导电带上方，并被附加ILD层围绕。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 晶体管 集成电路 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在基板上方的第一层间电介质(ILD)中形成具有第一宽度的栅极带；在所述栅极带上方形成具有第二宽度的导电带；在所述第一ILD和所述导电带上方形成第二ILD；以及在所述第二ILD中和所述导电带上方形成导电插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
