[发明专利]半导体器件结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件结构及其制作方法。制作方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有覆盖层，覆盖层具有暴露半导体衬底的开口图案；以覆盖层为掩膜对半导体衬底进行刻蚀，以形成开口；在开口的内侧壁上形成侧墙对；在开口内形成硅填充层，且硅填充层的上表面高于半导体衬底的上表面；在硅填充层上形成牺牲层，牺牲层的底部与侧墙对的顶部之间的距离为预定距离；去除覆盖层；以及在硅填充层的两侧形成硅材料层，且去除牺牲层，其中，硅材料层的上表面与硅填充层的上表面齐平。本发明通过在待形成的源极和漏极之间插入侧墙，来降低源极和漏极穿通的可能性，进而降低亚阈值漏电流。

主权项

一种半导体器件结构的制作方法，其特征在于，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有覆盖层，所述覆盖层具有暴露所述半导体衬底的开口图案；b）以所述覆盖层为掩膜对所述半导体衬底进行刻蚀，以形成开口； c）在所述开口的内侧壁上形成侧墙对；d）在所述开口内形成硅填充层，且所述硅填充层的上表面高于所述半导体衬底的上表面；e）在所述硅填充层上形成牺牲层，所述牺牲层的底部与所述侧墙对的顶部之间的距离为预定距离； f）去除所述覆盖层；以及g）在所述硅填充层的两侧形成硅材料层，且去除所述牺牲层，其中，所述硅材料层的上表面与所述硅填充层的上表面齐平。