[发明专利]氮化铝基片的快速超精密抛光浆料及抛光清洗加工方法有效
| 申请号： | 201110242289.4 | 申请日： | 2011-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102391788B | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李家荣;马超;唐会明 | 申请（专利权）人： | 江苏天恒纳米科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;B24B55/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢霞 |
| 地址： | 226600 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化铝基片快速超精密抛光浆料，由一步和二步抛光浆料组成，其中一步抛光浆料包括20-40wt%大粒径硅溶胶、0.05-5wt%pH调节剂及0.1-0.8wt%分散剂；二步抛光浆料包括20-40wt%小粒径硅溶胶、0.02-3wt%pH调节剂及0.1-1.0wt%分散剂。本发明还提供了一种应用氮化铝基片快速超精密抛光浆料的抛光清洗加工方法。本发明的氮化铝基片快速超精密抛光浆料组合物和清洗剂对环境友好，对人体无害，并且抛光清洗加工方法简单易行，不腐蚀抛光设备，减少了设备的折旧速度，降低了加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 铝基片 快速 精密 抛光 浆料 清洗 加工 方法 | ||
【主权项】：
氮化铝基片的快速超精密抛光浆料，其特征在于，所说浆料由一步和二步抛光浆料组成，其中一步抛光浆料包括20‑40wt%大粒径硅溶胶、0.05‑5wt%pH调节剂及0.1‑0.8wt%分散剂；二步抛光浆料包括20‑40wt%小粒径硅溶胶、0.02‑3wt%pH调节剂及0.1‑1.0wt%分散剂，所说的大粒径硅溶胶的粒径为120‑180nm，所说的小粒径硅溶胶的粒径为30‑60nm，所说的一步和二步抛光浆料中的pH调节剂为无机碱和有机碱，无机碱为氢氧化钠、氢氧化钾、氨水中的一种或两种，有机碱为季铵盐类有机碱、多胺碱、醇胺碱及其衍生物中的一种或几种；一步和二步抛光浆料的分散剂为聚丙烯酸钠、N一酰基乙二胺三乙酸钠、N，N’一双月桂酰基乙二胺二乙酸钠、乙二胺三乙酸二钠或乙二胺四乙酸二钠。
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