[发明专利]隔离型功率晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种隔离型功率晶体管的制造方法，本发明方法通过在栅多晶硅顶部形成的绝缘介质层、以及绝缘介质层侧面形成的侧壁介质层作为刻蚀形成器件之间的隔离层沟槽的硬掩膜，不需要增加额外的掩膜版就能在晶体管之间形成绝缘隔离层，既不会降低芯片内晶体管的密度，又能减少器件之间的串扰影响，有利于提高减少晶体管尺寸和提高芯片内晶体管的密度，能获得具有更小的导通电阻、更低的饱和压降和更大的电流驱动能力的功率器件。本发明方法因为不需要增加额外的掩膜版，所以还能降低制造成本。

主权项

一种隔离型功率晶体管的制造方法，其特征在于，隔离型功率晶体管的栅极为沟槽型结构，包括如下步骤：步骤一、在顶部形成有P型阱的N型承压区上形成沟槽，该沟槽穿过所述P型阱并进入到所述N型承压区中，在所述沟槽的底部和侧壁表面形成栅氧化层；步骤二、在所述沟槽中填入N型栅多晶硅，所述栅多晶硅的顶部进入所述P型阱中但未将所述沟槽填满，所述栅极由所述栅多晶硅形成；在所述沟槽中再填入绝缘介质层，所述绝缘介质层位于所述栅多晶硅的顶部并将所述沟槽完全填满；步骤三、以所述绝缘介质层为第一掩膜进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀是对所述沟槽外的所述P型阱进行刻蚀，所述P型阱被刻蚀掉部分厚度；步骤四、在所述绝缘介质层的侧面形成侧墙介质层；以所述绝缘介质层和所述侧墙介质层为第二掩膜进行第二次刻蚀并形成第二沟槽，所述第二次刻蚀的刻蚀深度大于所述P型阱的深度、所述第二沟槽穿过所述P型阱并进入到所述N型承压区中；步骤五、淀积第二绝缘介质层将所述第二沟槽填满；步骤六、去除所述侧墙介质层；进行源极注入形成源极，进行背栅接触注入形成背栅接触区；形成金属接触。