[发明专利]减少窄沟道效应的工艺方法

摘要

本发明公开了一种减少窄沟道效应的工艺方法，包括步骤：在衬底上刻蚀出浅槽；在浅槽中依次淀积底部隔离介质、掺杂多晶硅和顶部隔离介质；刻蚀部分掺杂多晶硅；淀积第三隔离介质并将掺杂多晶硅埋于浅沟槽隔离内部；形成金属接触将掺杂多晶硅从浅沟槽隔离内部引出并与晶体管的源极和背栅的金属接触短接并接地。本发明能屏蔽浅沟槽隔离上的栅极对晶体管的沟道区的影响，从而能解决窄沟道效应造成的漏电流增大和阈值电压减小的问题。

主权项

一种减少窄沟道效应的工艺方法，其特征在于，在制作浅沟槽隔离时包括如下步骤：步骤一、在衬底上刻蚀出浅槽；步骤二、在所述浅槽中依次淀积底部隔离介质、掺杂多晶硅和顶部隔离介质，所述底部隔离介质、所述掺杂多晶硅和所述顶部隔离介质将所述浅槽完全填充；步骤三、刻蚀部分所述掺杂多晶硅；步骤四、淀积第三隔离介质，所述第三隔离介质将被刻蚀掉的部分所述掺杂多晶硅的位置完全填充并最后形成所述浅沟槽隔离，剩余的部分所述掺杂多晶硅被埋于所述浅沟槽隔离内部；步骤五、形成金属接触将所述掺杂多晶硅从所述浅沟槽隔离内部引出并与晶体管的源极和背栅的金属接触短接并都保持接地电位。