[发明专利]基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器有效
| 申请号： | 201110242658.X | 申请日： | 2011-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102457018A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 苏辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器，在MMI的一侧或两侧制备高反射面可以缩小MMI在输入输出方向上的尺寸，即不需要是自成像距离的整数倍，而可以是自成像距离整数倍的1/n（n为整数）。发明另一方面涉及利用新型的MMI结构制备具有单纵横模输出的高功率激光器；其波导层包括单模和多模波导层。多模波导层中含有有源多模干涉区域（AMMI），即多模有源层。并在输出激光的单模波导层中制备有光栅，可以防止在AMMI发生跳模现象以及线宽因子的增加，因此可以实现单纵横模的稳定输出。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 干涉 结构 功率 纵横 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种高功率、单纵横模半导体激光器，其波导层包括单模和多模波导层；多模波导层中含有有源多模干涉区域，即多模有源层；其特征在于，多模干涉区域的侧面制备高反射面。
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