[发明专利]一种低镝含量高性能烧结钕铁硼的制备方法有效
申请号: | 201110242847.7 | 申请日: | 2011-08-23 |
公开(公告)号: | CN102280240A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 徐锋;陈光;卢国文;朱海南;陆凤琪;杨义恒;管宏胜;范从平 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学;江苏晨朗电子集团有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;C22C38/00;C22C33/02;B22F9/04;B22F1/02;B22F3/16 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 唐代盛 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种低镝含量高性能烧结钕铁硼的制备方法,在制备钕铁硼粉体的基础上利用基于磁控溅射的粉体镀膜工艺,将Dy元素溅射镀覆到气流磨粉体表面,而后在烧结和回火过程中通过Dy元素的高温扩散使其充分分散到微米级钕铁硼晶粒中,达到提高烧结钕铁硼磁性能的效果。与现有技术中在配料过程中引入Dy元素相比,本方法采用物理气相沉积,粉料颗粒表面包覆层限制在纳米级别,有效控制了生产过程中Dy元素的消耗量,实现了低镝含量高性能烧结钕铁硼的制备。根据本发明得到的烧结钕铁硼稀土永磁材料,与传统铸造和粉末冶金工艺制备的相同成分的烧结钕铁硼材料相比,其内禀矫顽力、最大磁能积均有显著提高;与传统铸造和粉末冶金工艺制备的相同性能的烧结钕铁硼相比,其镝元素用量显著降低。该方法可广泛用于高性能烧结钕铁硼的生产制造。 | ||
搜索关键词: | 一种 含量 性能 烧结 钕铁硼 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种低镝含量高性能烧结钕铁硼的制备方法,其特征在于采用基于磁控溅射的粉体镀膜工艺和粉末冶金工艺,步骤如下:(1)配料后,利用真空电弧炉基于铜模铸造工艺制备母合金铸锭,或者利用真空感应速凝铸片炉制备母合金速凝厚片,其中所配料的原子百分比组成为:Nd:8.0‑14.0%,Fe:74.0‑79.0%,B:5.5‑7.0%,M:2.0‑5.0%,R:0‑5.5%,其余为不可避免的杂质,其中R为La、Ce、Pr、Sm、Gd、Ho、Sc、Y中的一种或以上,M为Al、Co、Cu、Ga、Ti、Zr、 Nb、Hf、Zn、V中的一种或以上;(2)将母合金铸锭或速凝厚片氢爆破碎后,在粉料中添加汽油、专用防氧化剂和润滑剂,置于气流磨中进一步破碎,制成平均粒度在3‑6mm的粉末;(3)将气流磨制成的粉体,置于粉体颗粒镀膜用的磁控溅射设备的滚动样品台上,以金属Dy或Dy2O3作为靶材,磁控溅射系统抽真空后,在氩气氛围中将靶材成分溅射于滚动样品台内随重力下落的粉体上,粉体表面溅射层的平均厚度在10‑40nm;(4)将溅镀后的粉体混料分装,在4‑12T磁场以及5‑40MPa压力下取向成型,而后经过100‑300Mpa冷等静压处理,再次压型成坯件;(5)将压型坯置于真空热处理炉中,在950‑1150oC烧结1‑6h,而后进行回火热处理得到低镝含量高性能烧结钕铁硼。
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