[发明专利]一种横向扩散金属氧化物功率MOS器件无效
| 申请号： | 201110243454.8 | 申请日： | 2011-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102263125A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈伟元 | 申请（专利权）人： | 苏州市职业大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215104 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种横向扩散金属氧化物功率MOS器件，包括：位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层；所述N型轻掺杂层由第一N型轻掺杂区、第二N型轻掺杂区和P型轻掺杂区组成；所述第一N型轻掺杂区的掺杂浓度高于所述P型轻掺杂区的掺杂浓度，所述P型轻掺杂区的掺杂浓度高于所述第二N型轻掺杂区的掺杂浓度；所述第一N型轻掺杂区位于所述第二N型轻掺杂区上方；所述P型轻掺杂区在水平方向上位于所述第一N型轻掺杂区的中央区域且此P型轻掺杂区在垂直方向上位于所述第一N型轻掺杂区中央区域的中下部并与所述第二N型轻掺杂区表面接触。本发明功率MOS器件提高了击穿电压并降低了器件比导通电阻，同时大大改善了器件的响应时间和频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 扩散 金属 氧化物 功率 mos 器件 | ||
【主权项】：
一种横向扩散金属氧化物功率MOS器件，包括：位于P型的衬底层(1)内的P型阱层(2)和N型轻掺杂层(3)，所述P型阱层(2)与N型轻掺杂层(3)在水平方向相邻从而构成一PN结，一源极区(4)位于所述P型阱层(2)，一漏极区(5)位于所述衬底层(1)内，位于所述源极区(4)和N型轻掺杂层(3)之间区域的P型阱层(2)上方设有栅氧层(7)，此栅氧层(7)上方设有一栅极区(8)；其特征在于：所述N型轻掺杂层(3)由第一N型轻掺杂区(9)、第二N型轻掺杂区(10)和P型轻掺杂区(6)组成；所述第一N型轻掺杂区(9)的掺杂浓度高于所述P型轻掺杂区(6)的掺杂浓度，所述P型轻掺杂区(6)的掺杂浓度高于所述第二N型轻掺杂区(10)的掺杂浓度；所述第一N型轻掺杂区(9)与第二N型轻掺杂区(10)的掺杂浓度比例范围为：1.2∶1～1.3∶1；所述第一N型轻掺杂区(9)位于所述第二N型轻掺杂区(10)上方；所述P型轻掺杂区(6)在水平方向上位于所述第一N型轻掺杂区(9)的中央区域且此P型轻掺杂区(6)在垂直方向上位于所述第一N型轻掺杂区(9)中央区域的中下部并与所述第二N型轻掺杂区(10)表面接触。
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