[发明专利]锗硅边缘变薄引起的直流电流放大倍数增大的补偿方法

摘要

本发明公开了一种锗硅边缘变薄引起的直流电流放大倍数增大的补偿方法，所述锗硅层形成于外延层上，外延层形成于硅衬底上，所述锗硅层上淀积介质膜，刻蚀介质膜形成发射极窗口，淀积发射极多晶硅。补偿方法步骤如下：先进行第一次离子注入；镀一层负光胶；进行8～12毫米的晶片边缘曝光，显影去除晶片中间的光阻；进行第二次离子注入。本发明的补偿方法中，由于采用晶片边缘曝光显影去除晶片中间的光阻，边缘盖有光阻，所以第二次离子注入不会进入边缘，这样边缘发射极多晶硅的掺杂浓度较低，基极扩散电流增大，可有效地补偿集电极电流的上升；使得整个单晶硅片面内直流电流放大倍数的分布更紧；方法工艺简单，产品的成品率显著提高。

主权项

一种锗硅边缘变薄引起的直流电流放大倍数增大的补偿方法，所述锗硅层形成于外延层上，外延层形成于硅衬底上，所述锗硅层上淀积介质膜，刻蚀介质膜形成发射极窗口，淀积发射极多晶硅，其特征在于，所述补偿方法步骤如下：第1步，进行第一次离子注入；第2步，镀一层负光胶；第3步，进行8～12毫米的晶片边缘曝光，显影去除晶片中间的光阻；第4步，进行第二次离子注入。