[发明专利]薄膜晶体管无效
| 申请号： | 201110245101.1 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102456744A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 金正晥;金起弘;张龙在;金正贤 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 罗正云;宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，包括：基板；位于所述基板上的栅电极；覆盖所述栅电极的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上并且彼此隔开的与所述栅电极重叠的第一半导体层和第二半导体层；位于所述第一半导体层上并且位于所述栅电极的相对侧上的第一源电极和第一漏电极；以及位于所述第二半导体层上并且位于所述栅电极的相对侧上的第二源电极和第二漏电极；其中所述第一源电极通过与所述栅电极重叠的源接线联结至所述第二源电极，并且所述第一漏电极联结至所述第二漏电极，使得可以恒定地维持薄膜晶体管的导通电流特性和截止电流特性，而不考虑对准误差。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：基板；位于所述基板上的栅电极；覆盖所述栅电极的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上并且彼此隔开的与所述栅电极重叠的第一半导体层和第二半导体层；位于所述第一半导体层上并且位于所述栅电极的相对侧上的第一源电极和第一漏电极；以及位于所述第二半导体层上并且位于所述栅电极的相对侧上的第二源电极和第二漏电极；其中所述第一源电极通过与所述栅电极重叠的源接线联结至所述第二源电极，并且所述第一漏电极联结至所述第二漏电极。
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