[发明专利]用于无源UHFRFID芯片的EEPROM读取装置

摘要

本发明公开了一种用于无源UHFRFID芯片的EEPROM读取装置，主要解决现有EEPROM读取装置峰值和均值功耗、工艺偏差大和浮栅特性退化的问题。该装置包括：读取控制逻辑电路、边沿自检测电路、读取单元阵列和存储单元阵列。存储单元阵列通过位线BL与读取单元阵列相连，读取控制逻辑电路在读取时钟信号CLKR控制下，产生复位信号rst、预充电信号enpch和锁存信号enlat，并送入读取单元阵列，读取单元阵列输出数据信号DBO给边沿自检测电路，产生控制信号latch，并将该控制信号反馈回读取控制逻辑电路。本发明具有低峰值和均值功耗、抗工艺偏差和浮栅特性退化的优点。

主权项

一种用于无源UHF RFID芯片的EEPROM读取装置，包括：读取模块(100)和存储单元阵列(104)，两者之间通过位线(BL)连接，其特征在于：读取模块(100)，用于实现对存储单元阵列(104)的读取操作，包括：读取控制逻辑电路(101)，用于为读取单元阵列(103)产生控制信号，并输出复位信号rst、预充电信号enpch与锁存信号enlat，它包括第一延迟电路(201)、第二延迟电路(202)、第三延迟电路(206)、第一反相器(203)、第二反相器(207)、异或门(204)、enpch信号驱动电路(205)、或门(208)和与非门(209)，该enpch信号驱动电路(205)，通过PMOS管(301)和NMOS管(302)构成的反相器驱动，且PMOS管(301)采用栅宽大于栅长的正比管，NMOS管(302)采用栅宽小于栅长的倒比管；该异或门(204)的一个输入端接到边沿自检测电路(102)的输出控制信号latch；该第一延迟电路(201)的输入端接读时钟信号CLKR；边沿自检测电路(102)，用于检测读取单元阵列(103)的数据信号DBO的第一个翻转信号，并将该信号延迟，产生控制信号latch，提供给读取控制逻辑电路(101)；读取单元阵列(103)，用于读取EEPROM存储单元的数据，其数据信号DBO连接到边沿自检测电路(102)；EEPROM存储单元阵列(104)，用于存储相关的数据，对该存储单元阵列的读取操作以一页为基本单位；该存储单元阵列的容量大小为1Kbits，分为32页，每页的大小为1个，即每16个存储单元组成一页；同一页中所有存储单元的字线WL短接，不同页相同地址的存储单元的位线BL短接，该字线WL总共有32根，分别编号为：WL0、WL1、……、WL31；位线总共16根，分别编号为BL0、BL1、BL2、……、BL15。