[发明专利]一种制备铌酸锂表面图形的方法无效
| 申请号： | 201110245639.2 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102304767A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;齐爱谊;王海玲;渠红伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备铌酸锂表面图形的方法，该方法包括：在铌酸锂衬底表面制作掩膜图形；采用氟基等离子对铌酸锂衬底进行干法刻蚀，以刻蚀铌酸锂；采用氧等离子对铌酸锂衬底进行刻蚀，以刻蚀在铌酸锂表面形成的氟化锂；重复上述采用氟基等离子及氧等离子的刻蚀步骤，直至完成铌酸锂表面图形的制备。利用本发明，解决了氟基等离子刻蚀铌酸锂时表面再沉积氟化锂的问题，达到制备大深度、底面光滑铌酸锂表面图形的目的。本方法简单易用，可以用于铌酸锂的刻蚀，获得大深度、底面光滑的铌酸锂表面图形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 铌酸锂 表面 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种制备铌酸锂表面图形的方法，其特征在于，该方法包括：在铌酸锂衬底表面制作掩膜图形；采用氟基等离子对铌酸锂衬底进行干法刻蚀，以刻蚀铌酸锂；采用氧等离子对铌酸锂衬底进行刻蚀，以刻蚀在铌酸锂表面形成的氟化锂；重复上述采用氟基等离子及氧等离子的刻蚀步骤，直至完成铌酸锂表面图形的制备。
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