[发明专利]太阳电池前电极激光加工方法及装置无效
申请号: | 201110246280.0 | 申请日: | 2011-08-25 |
公开(公告)号: | CN102299201A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 潘涌;姜兆华;唐则祁;王国庆;安博言 | 申请(专利权)人: | 上海市激光技术研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;B23K26/40 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吴宝根 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳电池前电极激光加工方法及装置,本发明采用激光器作为加工光源,通过激光扩束聚焦系统,获得精细的聚焦光束,利用二维位移工作平台走出电极图案路径,采用激光在硅片表面刻划细线,利用材料对激光不同的吸收特性,刻蚀去除氮化硅膜层而不伤及PN结;在刻划的细线上通过电镀技术制作电极,实现对电流的收集与输运。激光加工结合电镀技术制作太阳电池前电极,降低了副栅线的宽度,即减少了电极遮光面积,因而非常有效地提高了电池效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 电极 激光 加工 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种太阳电池前电极激光加工方法,其特征在于,该方法步骤为:采用PECVD法在晶体硅表面沉积一层既起到减反射作用又能达到钝化的效果的氮化硅薄膜;根据氮化硅薄膜和晶体硅材料对激光波长的不同吸收系数,控制激光能量并与加工速度相匹配,使激光在晶体硅表面加工细线,刻蚀去除氮化硅薄膜,使下面的PN结裸露在外,刻蚀的图案即为太阳电池前电极图案;采用常规的电镀法在晶硅前表面形成金属化电极,实现对电流的收集与输运。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的