[发明专利]高压MOS器件测试方法无效
| 申请号： | 201110247687.5 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102385029A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 韦敏侠 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高压MOS器件的测试方法，用于测试半导体晶圆上各芯片的高压MOS器件是否失效，包括：在半导体晶圆上任选若干芯片，测试其高压MOS器件；将所述各芯片的高压MOS器件的一极接地，另一极与栅极接测试端；逐步升高在所述测试端施加的测试电压，并同时测量各高压MOS器件对应的源漏电流；所述测试电压的初始值小于所述高压MOS器件的饱和电压；根据所述测试电压以及相应的源漏电流，形成各芯片的高压MOS器件的输出特性曲线；根据所述输出特性曲线判定所述高压MOS器件是否失效。与现有技术相比，本发明采用递增调整测试电压的方式，测试源漏电流，能够避免因寄生效应导致源漏电流过小，而发生错误判定的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 mos 器件 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种高压MOS器件的测试方法，用于测试半导体晶圆上各芯片的高压MOS器件是否失效，其特征在于，包括：在半导体晶圆上任选若干芯片，测试其高压MOS器件；将所述各芯片的高压MOS器件的一极接地，另一极与栅极接测试端；逐步升高在所述测试端施加的测试电压，并同时测量各高压MOS器件对应的源漏电流；所述测试电压的初始值小于所述高压MOS器件的饱和电压；根据所述测试电压以及相应的源漏电流，形成各芯片的高压MOS器件的输出特性曲线；根据所述输出特性曲线判定所述高压MOS器件是否失效。
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