[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件，包括：形成在衬底之上的管道沟道层；形成在管道沟道层之上以将管道沟道层与位线相耦接的第一垂直沟道层；形成在管道沟道层之上以将管道沟道层与源极线相耦接的第二垂直沟道层；包括电荷陷阱层且形成为包围第一垂直沟道层、第二垂直沟道层和管道沟道层的多层；形成为包围所述多层的绝缘屏障层；形成在管道沟道层与位线之间的多个第一导电层，其中所述第一垂直沟道层贯穿第一导电层；以及形成在管道沟道层与源极线之间的多个第二导电层，其中所述第二垂直沟道层贯穿第二导电层。

主权项

一种存储器件，包括：管道沟道层，所述管道沟道层形成在衬底之上；第一垂直沟道层，所述第一垂直沟道层形成在所述管道沟道层之上，以将所述管道沟道层与位线相耦接；第二垂直沟道层，所述第二垂直沟道层形成在所述管道沟道层之上，以将所述管道沟道层与源极线相耦接；包括电荷陷阱层的多层，所述多层形成为包围所述第一垂直沟道层、所述第二垂直沟道层和所述管道沟道层；绝缘屏障层，所述绝缘屏障层形成为包围所述多层；多个第一导电层，所述多个第一导电层形成在所述管道沟道层与所述位线之间，其中所述第一垂直沟道层贯穿所述第一导电层；以及多个第二导电层，所述多个第二导电层形成在所述管道沟道层与所述源极线之间，其中所述第二垂直沟道层贯穿所述第二导电层。