[发明专利]具有金属栅极的半导体元件的制作方法有效
| 申请号： | 201110248167.6 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102956460A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 王俞仁;孙德霖;赖思豪;陈柏均;林志勋;蔡哲男;林君玲;叶秋显 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，该制作方法首先提供基底，该基底上形成有至少一第一半导体元件。接下来于该第一半导体元件内形成第一栅极沟槽，随后于该第一栅极沟槽内形成第一功函数金属层。待于该第一栅极沟槽内形成该第一功函数金属层之后，对该第一功函数金属层进行分耦式等离子体氧化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 栅极 半导体 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，包括：提供基底，该基底上形成有至少一第一半导体元件；于该第一半导体元件内形成第一栅极沟槽；于该第一栅极沟槽内形成第一功函数金属层；以及对该第一功函数金属层进行分耦式等离子体氧化处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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