[发明专利]等离子体处理设备有效
| 申请号： | 201110248510.7 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102595760A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李荣钟;孙亨圭 | 申请（专利权）人： | 丽佳达普株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;林锦辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开一种等离子体处理设备，包括：腔室，包括基座，在所述基座上安放基板；盖子框架，位于所述基座上方，并且包括形成边缘的外部框架和形成在所述外部框架中从而使得多个矩形框架可以形成在由所述外部框架形成的空间中的支撑框架；以及多个介电窗，分别被布置在所述多个矩形框架中，所述多个介电窗包括第一区介电窗和第二区介电窗，并且所述第一区介电窗比第二区介电窗厚，以防止电子在所述第一区介电窗下面的密度大。这样，可以防止由支撑介电窗的框架所引起的电子致密带的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 设备 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理设备，包括：腔室，包括基座，在所述基座上安放基板；盖子框架，位于所述基座上方，并且包括形成边缘的外部框架和形成在所述外部框架中从而使得多个矩形框架可以形成在由所述外部框架形成的空间中的支撑框架；以及多个介电窗，分别被布置在所述多个矩形框架中，所述多个介电窗包括第一区介电窗和第二区介电窗，并且所述第一区介电窗比第二区介电窗厚，以防止电子在所述第一区介电窗下面密度大。
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