[发明专利]氢化物气相外延生长GaN单晶用的H3PO4腐蚀籽晶及其制备方法有效
| 申请号： | 201110249039.3 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102286777A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 郝霄鹏;张雷;吴拥中;邵永亮;张浩东 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/38;C30B33/10 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 250000 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氢化物气相外延生长氮化镓单晶用的磷酸腐蚀籽晶及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上生长GaN外延薄膜片，得GaN外延片；将GaN外延片浸入H3PO4溶液中腐蚀；将GaN外延片腐蚀后迅速取出放入水中终止腐蚀，得到GaN外延薄膜层面具有H3PO4腐蚀坑结构的籽晶；将上述腐蚀后具有H3PO4腐蚀坑结构的籽晶经过清洗、吹干后，放入HVPE生长系统中外延生长GaN单晶。本发明无需采用复杂工艺制备具有特殊结构的GaN基板，工艺简单，成本低廉，且生长温度低，适合于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 氢化物 外延 生长 gan 单晶用 sub po 腐蚀 籽晶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种HVPE生长GaN单晶用的H3PO4腐蚀籽晶，包括衬底、GaN外延薄膜层，在所述衬底上生长有GaN外延薄膜层，其特征在于，所述的GaN外延薄膜层上有深度不等的H3PO4腐蚀坑，深度最深的H3PO4腐蚀坑露出衬底。
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