[发明专利]硅微纳米结构选择性发射极太阳能电池

摘要

本发明公开了一种属于太阳能电池技术领域的硅微纳米结构选择性发射极太阳能电池。其特征在于采用纳米硅浆料和硅刻蚀技术形成的硅微纳米结构在硅片表面形成栅线图形形状，后续采用常规的电池技术，即一次扩散、刻蚀周边、沉积氮化硅、丝印电极，形成一种易于产业化的选择发射极电池。所述太阳能转换装置在P型硅基表面通过旋涂，金属催化腐蚀等方法制备出硅微纳米结构的栅型结构，在硅纳米结构上面制备电极，形成选择型发射区，提高太阳能装置的效率。本发明提供的一种新型的一次扩散太阳能电池选择性发射区的方法，可提高电池效率，直接在硅表面得到可以制备选择性发射区的结构，精简了硅纳米浆料的制备步骤，降低生产成本。

主权项

硅微纳米结构选择性发射极太阳能电池，其特征在于采用纳米硅浆料和硅刻蚀技术形成的硅微纳米结构在硅片表面形成栅线图形形状，后续采用常规的电池技术，即一次扩散、刻蚀周边、沉积氮化硅、丝印电极，形成一种易于产业化的选择发射极电池。主要技术特征依据是纳米硅的熔点随尺寸变化，可在一定温度下与硅很好的键合，一次扩散即可在有硅浆料或硅微纳米结构的地方形成重扩区在而在没有纳米硅浆料的地方形成发射区。(1)在P型基底上制备单晶硅绒面；(2)利用硅纳米颗粒，印刷在硅基底上，或在硅基底上通过金属催化腐蚀按栅线形状制备微纳米结构；(3)硅纳米颗粒通过表面修饰保护基团，溶解在可在硅表面固定成型，同时可有效分散硅纳米颗粒的有机溶剂中；(4)通过一次扩散制备选择性发射区；(5)二次对准制备金属电极。